IP是芯片產(chǎn)業(yè)的根技術(shù),但除了半導(dǎo)體領(lǐng)域的業(yè)內(nèi)人士,很少有人知道IP是什么、能做什么。如果把一顆芯片打開,就能從它的版圖上看到很多個(gè)IP組成了整個(gè)電路。這些集成電路IP核在芯片設(shè)計(jì)中,物理上能夠看得到摸得著,也能夠完成一定功能。更重要的是,IP是可以重復(fù)利用的,不光可以通過授權(quán)方式給到A客戶,也可以用到B客戶產(chǎn)品中。
2021年,美國(guó),韓國(guó)、日本、歐盟等已經(jīng)陸續(xù)提出“芯片自主”規(guī)劃,均在計(jì)劃加大投資,想要實(shí)現(xiàn)本國(guó)半導(dǎo)體或者本地區(qū)的獨(dú)立自主能力。聚焦國(guó)內(nèi),芯片產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期處于科技行業(yè)的短板,這使得包括華為在內(nèi)的國(guó)內(nèi)智能設(shè)備制造商始終受制于人。
基于180 nm BCD工藝平臺(tái)設(shè)計(jì)開發(fā)了32 Kibit的多次可編程(MTP)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)。詳細(xì)描述了存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)特點(diǎn)、操作機(jī)理及影響非易失性的關(guān)鍵因素。測(cè)試并量化了其在高溫條件下的數(shù)據(jù)保持能力,并根據(jù)Arrhenius模型設(shè)計(jì)了高溫老化試驗(yàn),進(jìn)而計(jì)算其浮柵上電荷泄漏的激活能。經(jīng)過104次重復(fù)編程和擦除循環(huán)后,MTP NVM樣品的高溫?cái)?shù)據(jù)保持(HTDR)能力驗(yàn)證結(jié)果表明該MTP NVM產(chǎn)品具有很好的可靠性。通過高溫老化加速試驗(yàn),計(jì)算出分別在100、125和150 ℃條件下3個(gè)樣品的數(shù)據(jù)保持時(shí)間,并對(duì)1/T與數(shù)據(jù)保持時(shí)間曲線進(jìn)行數(shù)學(xué)擬合,計(jì)算出在該180 nm BCD工藝平臺(tái)下浮柵上電荷泄漏的激活能。
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