Ansys、Cadence、Hexagon、微軟、羅克韋爾自動化、西門子、Trimble采用Omniverse技術(shù)幫助客戶設(shè)計、模擬、構(gòu)建和運行符合物理學(xué)的數(shù)字孿生
美國加利福尼亞州圣何塞 —— GTC —— 太平洋時間 2024 年 3 月 18 日 —— NVIDIA 于今日宣布推出 NVIDIA Blackwell 平臺以賦能計算新時代。該平臺可使世界各地的機(jī)構(gòu)都能夠在萬億參數(shù)的大語言模型(LLM)上構(gòu)建和運行實時生成式 AI,其成本和能耗較上一代產(chǎn)品降低多達(dá) 25 倍。
高集成度芯片支持多種無線技術(shù)和最新安全標(biāo)準(zhǔn),充分滿足市場對智能工業(yè)、醫(yī)療設(shè)備和消費電子的要求
雙核心 Arm Cortex-A35、圖形加速、高速連接能力,及內(nèi)建硬件安全功能
憑借更高電流能力及迷你尺寸,Bourns? NX 系列完美協(xié)助客戶將產(chǎn)品尺寸縮小,且仍保持較高的過熱保護(hù)
TDK株式會社(TSE:6762)利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型雙芯片傳感器 HAR 3920-2100*,進(jìn)一步擴(kuò)充了 Micronas 3D HAL? 位置傳感器系列。其設(shè)計旨在滿足在存在干擾雜散場的情況下,對線性位置和角度位置進(jìn)行高精度測量的需求。根據(jù) ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)的 HAR 3920 符合 ASIL C 級要求,適合集成到最高 ASIL D 級的汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中。此傳感器適用于油門踏板位置或節(jié)流閥位置測量,或非接觸式電位器等應(yīng)用場景。**計劃于 2024 年 4 月投產(chǎn);樣品現(xiàn)在可應(yīng)要求提供。
作為1.0μm像素尺寸背照式(BSI)圖像傳感器,此次推出的新品SC1620CS基于思特威SmartClarity?-3技術(shù)打造,搭載思特威先進(jìn)的小像素尺寸技術(shù)SFCPixel-SL?,集優(yōu)異的高感度、高動態(tài)范圍、低噪聲等性能優(yōu)勢于一身,為智能手機(jī)后置主攝、后置超廣角及前攝應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)影像。
米爾電子發(fā)布的瑞薩第一款MPU生態(tài)板卡——瑞米派(Remi Pi)自上市當(dāng)天200套售罄,獲得不少新老用戶的青睞。為感謝大家的支持,米爾加推300套瑞米派活動,以補(bǔ)貼價198元回饋大家,搶完即止!
目標(biāo): 為計算機(jī)模塊配備開發(fā)人員所需的一切
該解決方案采用全新 1.6T 以太網(wǎng)控制器 IP、經(jīng)過硅驗證的224G PHY IP和驗證IP,助力未來基礎(chǔ)設(shè)施的升級建設(shè)
【2024年3月14日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用(包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等)和汽車領(lǐng)域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等)。
節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50%,有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。
器件符合IrDA?標(biāo)準(zhǔn),采用內(nèi)部開發(fā)的新型IC和表面發(fā)射器芯片技術(shù),可以即插即用的方式替換現(xiàn)有解決方案。
2024年3月12日,中國 -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了新一代的STM32MP2系列工業(yè)級微處理器 (MPUs),以推動智能工廠、智能醫(yī)療、智能樓宇和智能基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域未來的發(fā)展。
【2024年3月13日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求,而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓,可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,電氣間隙為5.4 mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗,適用于太陽能(如組串逆變器)以及儲能系統(tǒng)和電動汽車充電應(yīng)用。