-
MOSFET柵極驅(qū)動電路重要參數(shù)解讀：導(dǎo)通電阻+驅(qū)動功率
以下內(nèi)容中，小編將對MOSFET柵極驅(qū)動電路的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對MOSFET柵極驅(qū)動電路的了解，和小編一起來看看吧。
-
MOS管驅(qū)動電路詳解
在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。
-
新型OptiMOS 7 MOSFET改進汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計穩(wěn)健性和開關(guān)效率
【2024年6月18日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)正在擴大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標(biāo)準和未來的48 V汽車應(yīng)用進行了優(yōu)化，包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車(LEV)、電動二輪車、電動踏板車、電動摩托車，以及商用車和農(nóng)用車(CAV)等其他交通應(yīng)用。
-
MOS管開關(guān)時的米勒效應(yīng)的影響與解決方法
由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長。(Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降)。
-
英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
【2024年4月15日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的 48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機控制（例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開關(guān)以及電動兩輪車和三輪車等。
-
EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
EPC推出采用緊湊型QFN封裝(3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET(EPC2361)，助力DC/DC轉(zhuǎn)換、快充、電機驅(qū)動和太陽能 MPPT等應(yīng)用實現(xiàn)更高的功率密度。
-
貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。
-
適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用的MOSFET產(chǎn)品
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的MOSFET，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)MOSFET。
-
降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗的30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP
隨著全球多樣化的發(fā)展，我們的生活也在不斷變化著，包括我們接觸的各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你一定不知道這些產(chǎn)品的一些組成，比如p溝道功率MOSFET。
-
值得了解的新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會含有的RDS(ON)導(dǎo)通電阻嗎?
-
值得了解的新型40Vn溝道MOSFET半橋功率級-SiZ240DT
人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如集成式MOSFET。
-
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
-
ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
~可加快車載主機逆變器等的普及速度~
-
Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
新一代氮化鎵技術(shù)針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
-
儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS?功率MOSFET
英飛凌OptiMOS?3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能?？蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn了解有關(guān)OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品信息。
-
英飛凌亮相PCIM Asia 2019，以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效
英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)近日參加在上海世博展覽館舉辦的2019年上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia 2019)及相關(guān)論壇會議。
-
從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用
-
10步法則：實用的MOSFET選型方法
功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低;P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動、變壓器驅(qū)動或自舉驅(qū)動，驅(qū)動電路復(fù)雜;P溝道可以直接驅(qū)動，驅(qū)動簡單。
-
Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，適用于移動設(shè)備和消費電子
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布新的30V N溝道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設(shè)備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
-
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) (FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積)，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
