設(shè)備廠萬潤表示,由于面板廠擴產(chǎn)集中于下半年裝機,預(yù)估第3季將會是營收高峰,帶動整體下半年營收走高,目前來看,第2季由于被動組件廠擴產(chǎn),帶動訂單涌入,預(yù)期第2季營收將優(yōu)于首季。 萬潤指出,第1季受惠于被動
李洵穎 DRAM的世代交替帶動了先進封裝技術(shù)的發(fā)展,以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品,其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP),自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA),延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代
近年來LED產(chǎn)業(yè)開始逐漸從喧囂的照明革命中冷靜下來,中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展日趨成熟和理智。發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光效能也在過往的十年間已大幅提升,從過去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦,當(dāng)前高功率LED已達到適用于
近年來LED產(chǎn)業(yè)開始逐漸從喧囂的照明革命中冷靜下來,中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展日趨成熟和理智。發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光效能也在過往的十年間已大幅提升,從過去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦,當(dāng)前高功率LED已達到適用
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅引線
LED照明將成為第二個帶動LED行業(yè)迅速成長的應(yīng)用產(chǎn)品。LED行業(yè)的爆發(fā)性成長源于多年來的市場培養(yǎng)和技術(shù)累計,根據(jù)DIGITIMESResearch最新統(tǒng)計,高亮度LED市場規(guī)模將由2010年82.5億美元,成長至2011年的126億美元,年成
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。 2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅引線鍵
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅引線
在計算機內(nèi)存產(chǎn)品工藝中,內(nèi)存的封裝技術(shù)是內(nèi)存制造工藝中最關(guān)鍵一步,采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條,在性能上存在較大差距。只有高品質(zhì)的封裝技術(shù)才能生產(chǎn)出完美的內(nèi)存產(chǎn)品。本文就主要介紹兩種新型封裝技術(shù)--BLP和Tin
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。 2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅
黃金期貨價格續(xù)攀新高,一度挑戰(zhàn)歷史新高價位,而銅價則處于檔震溫格局。對封裝業(yè)而言,銅價相對穩(wěn)定,金價持續(xù)飆升,將影響封裝毛利,預(yù)期金線和銅線封裝價格差異幅度拉大,從過去15%將拉大到25%;同時,金漲銅穩(wěn)的
1996年,Nichia公司的Nakamura等首次使用藍光led結(jié)合黃色熒光粉轉(zhuǎn)化合成了白光LED。他所采用的黃色熒光粉為Y3Al5O12:Ce3+(簡稱YAG:Ce3+),這種熒光粉在470nm波段附近有較強的寬帶吸收,然后激發(fā)出540nm附近的黃光,L
據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo),富士通(FujitsuLtd.)集團旗下半導(dǎo)體子公司富士通半導(dǎo)體(FujitsuSemiconductor;原名為富士通微電子)計劃于今(2010)年內(nèi)將采用先端半導(dǎo)體封裝技術(shù)的日本三重工廠部份生產(chǎn)設(shè)備移至中國大陸相關(guān)公司&ldq
日經(jīng)新聞27日報導(dǎo),富士通(Fujitsu Ltd.)集團旗下半導(dǎo)體子公司富士通半導(dǎo)體(Fujitsu Semiconductor;原名為富士通微電子)計劃于今(2010)年內(nèi)將采用先端半導(dǎo)體封裝技術(shù)的日本三重工廠部份生產(chǎn)設(shè)備移至中國大陸相關(guān)公
臺系一線封測廠不僅致力于銅制程競賽,亦兼顧高階封裝技術(shù),由于電子產(chǎn)品大吹輕薄風(fēng),功能益趨多元復(fù)雜,半導(dǎo)體高階制程備受青睞,使得高密度封裝技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)、層迭式封裝(PoP)、多芯片封裝(MCP)等,成為
臺系一線封測廠不僅致力于銅制程競賽,亦兼顧高階封裝技術(shù),由于電子產(chǎn)品大吹輕薄風(fēng),功能益趨多元復(fù)雜,半導(dǎo)體高階制程備受青睞,使得高密度封裝技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)、層迭式封裝(PoP)、多芯片封裝(MCP)等,成為
隨著封裝技術(shù)未來將進入3D IC時代,半導(dǎo)體封裝專利授權(quán)廠商Tessera認為,若臺灣廠商可掌握3D IC趨勢,并結(jié)合臺灣集中的IC產(chǎn)業(yè)鏈,3D IC技術(shù)將有機會領(lǐng)先全球。其中硅穿孔(TSV)挾著成本便宜等優(yōu)勢,未來成長潛力十足,
前不久,江蘇長電科技股份有限公司“集成電路封測生產(chǎn)線技術(shù)改造項目”被評為江蘇省技術(shù)改造示范項目。成功的技術(shù)改造,使江蘇長電科技股份有限公司今年上半年完成銷售收入16.39億元,利潤總額超億元,實現(xiàn)了歷史最好
封測雙雄日月光、硅品昨(9)日都表示,臺積電擴大12吋晶圓封裝布局,勢必會對既有封測廠造成威脅。兩家公司都強調(diào),會加快相關(guān)技術(shù)布局腳步,不讓臺積電專美于前。 日月光主管表示,臺積電擁有雄厚資源及深厚客