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IR推出600V單通道柵極驅(qū)動器系列IRS212x
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實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計途徑
許多應(yīng)用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文
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如何實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率——高速柵極驅(qū)動器
在此系列的第一部分中，討論過高電流柵極驅(qū)動器如何幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動器也可以實現(xiàn)相同的效果。 高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管功耗來提高效
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分離柵極閃存循環(huán)擦寫引起退化分量剖析
SuperFlash®技術(shù)基于分離柵極概念，廣泛用于獨立和嵌入式NOR閃存產(chǎn)品。與其他競爭解決方案相比，SuperFlash的主要優(yōu)勢包括：因采用較厚的隧道電介質(zhì)層而具有卓越的可靠
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采用三柵極技術(shù)FPGA的突破性優(yōu)勢
三柵極技術(shù)對高性能FPGA性能的影響，以及其在數(shù)字電路速度、功率以及生產(chǎn)方面有何種程度的優(yōu)勢。
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電子管放大器中燈絲交流噪聲消除方法
放大器在電路中最主要的作用就是進(jìn)行放大，而電子管對于噪聲及干擾的過濾作用又較為明顯，因此電子管放大器在電路中就肩負(fù)著放大的同時對一些干擾進(jìn)行過濾的作用。在本文中
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高頻感應(yīng)加熱電源的驅(qū)動電路設(shè)計
就目前國內(nèi)的感應(yīng)加熱電源研發(fā)現(xiàn)狀而言，高頻感應(yīng)加熱電源是主流的研發(fā)設(shè)計方向，也是很多工程師的工作重點。在今天的文章中，我們將會為大家分享一種基于IR2llO芯片的高頻
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6J8P柵極輸入膽前級電路圖
鑒于現(xiàn)代音源輸出電平較高，可以直接推動后級(合并機)放大器，因此，制作前級的主要目的是為了校聲，使音質(zhì)更好聽，音色更完美，由此制作前級不必苛求過大的增益，甚至無增益也行，采用電子管6J8P，將柵極接地，由簾柵極輸入的前級電路制作試機，電路如圖所示(另一聲道完全相同)。
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運用互補性顯微術(shù)在終極尺度上三維重構(gòu)并分析同一個納米級樣品
運用兩種不同的納米尺度或原子尺度測量分析方法分析同一個樣品，對完全掌握一種材料或產(chǎn)品的屬性至關(guān)重要，這種優(yōu)勢互補的分析方法特別適用于測定MOSFET、FINFET等新一代納
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墻內(nèi)導(dǎo)線探測電路
墻內(nèi)導(dǎo)線探測電路
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三柵極技術(shù)給FPGA帶來突破性優(yōu)勢
本文考察了半導(dǎo)體制造業(yè)中晶體管設(shè)計從傳統(tǒng)平面向3D結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化的影響，以及其對可編程邏輯器件性能的顯著提升。引言2013年2月，Altera公司與Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA產(chǎn)品的生產(chǎn)將獨家采用Intel的
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場效應(yīng)管的檢測及使用注意事項！
一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極
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場效應(yīng)晶體管聲控放大電路
場效應(yīng)晶體管聲控放大電路
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絕緣柵型場效應(yīng)管
絕緣型場效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，因此而得名。又因柵極為金屬鋁，故又稱為MOS管。金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管。它的柵極-源極之間的
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由兩只雙柵極場效應(yīng)管構(gòu)成的平衡式混頻電路
由兩只雙柵極場效應(yīng)管構(gòu)成的平衡式混頻電路
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由場效應(yīng)管組成的FM收音機電路
由場效應(yīng)管組成的FM收音機電路
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分壓式自偏壓電路
分壓式自偏壓電路 上圖所示為分壓式自偏壓電路又稱柵極接正電位偏置電路，它是在自給偏壓共源放大電路的基礎(chǔ)上，加上分壓電阻器R和R蛇構(gòu)成的。圖中，電源UDD、
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負(fù)阻型介質(zhì)振蕩器及等效電路
負(fù)阻型介質(zhì)振蕩器及等效電路
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柵極接地放大器的電路連接方式
柵極接地放大器的電路連接方式
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分壓式自偏壓電路
分壓式自偏壓電路
