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爾必達(dá)發(fā)布上季度結(jié)算報(bào)告 公司繼續(xù)維持虧損經(jīng)營(yíng)
爾必達(dá)發(fā)布了2011財(cái)年第一季度（2011年4～6月）結(jié)算報(bào)告。受DRAM價(jià)格大幅下滑影響，該公司第一季度仍持續(xù)營(yíng)業(yè)虧損狀態(tài)。但爾必達(dá)指出，即便在困境中還是確保了其領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并指出了其他競(jìng)爭(zhēng)公司將被
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監(jiān)控基站功率放大器的優(yōu)化方案
監(jiān)控基站功率放大器的優(yōu)化方案
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功率管理優(yōu)化功率的實(shí)現(xiàn)
隨著由電池供電的便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品的增長(zhǎng)，IC芯片的功耗已成為了一個(gè)世界性的問(wèn)題，設(shè)計(jì)者必須通過(guò)配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來(lái)節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)卻要求工程師開(kāi)發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費(fèi)類產(chǎn)品
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功率管理優(yōu)化功率的實(shí)現(xiàn)
隨著由電池供電的便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品的增長(zhǎng)，IC芯片的功耗已成為了一個(gè)世界性的問(wèn)題，設(shè)計(jì)者必須通過(guò)配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來(lái)節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)卻要求工程師開(kāi)發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費(fèi)類產(chǎn)品
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下一代晶體管王牌：何種技術(shù)領(lǐng)跑22nm時(shí)代？
在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開(kāi)發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先恐后地推出各種新的晶體管技術(shù)。英特
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何種晶體管技術(shù)將領(lǐng)跑22nm時(shí)代？
在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭(zhēng)論的焦點(diǎn)在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場(chǎng)比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開(kāi)發(fā)中，業(yè)界都爭(zhēng)先恐后地推出各種新的晶體管技術(shù)。英特
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可在同一真空下形成所有high-k積層膜，AMAT投產(chǎn)新型ALD裝置
美國(guó)應(yīng)用材料公司（AMAT）目前已開(kāi)始投產(chǎn)用于22nm邏輯IC的柵極絕緣膜ALD（atomic layer deposition）裝置“Centura Integrated Gate Stack”。該裝置的特點(diǎn)是可在同一真空環(huán)境下形成所有高介電率柵極絕緣膜（high-
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應(yīng)用材料發(fā)布Centura
應(yīng)用材料(Applied Materials)在Semicon West發(fā)布了一套新系統(tǒng)，用以制備晶體管最關(guān)鍵的一層，這種晶體管見(jiàn)于邏輯電路。應(yīng)用材料的新工具Centura，用在晶體管上沉積關(guān)鍵的一層，一次只沉積一個(gè)原子，這就帶來(lái)了前所未
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Chipworks臺(tái)積電28nm制程分析結(jié)果出爐
最近一周以來(lái)，Chipworks制程分析室的研究人員非常地忙碌，因?yàn)橐呀?jīng)有很長(zhǎng)一段時(shí)間沒(méi)有采用較高級(jí)別制程的CMOS產(chǎn)品送到我們的分析室進(jìn)行分析 了，而最近，我們幾乎在同一時(shí)間就一下子收到了兩款這樣的樣品芯片。這兩
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透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)與成像原理
透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)與成像原理 透射電子顯微鏡是以波長(zhǎng)極短的電子束作為照明源，用電磁透鏡聚焦成像的一種高分辨率、高放大倍數(shù)的電子光學(xué)儀器。 There are four main components to a transmission electron mi
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基于混合SET/MOSFET的比較器
據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
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基于混合SET/MOSFET的比較器
據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra
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SuVolta將LSI功耗減少一半，用于28nm工藝high-k及金屬柵極工藝
左為美國(guó)SuVolta公司總裁兼首席執(zhí)行官Bruce McWilliams，右為該公司高級(jí)市場(chǎng)副總裁兼業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Jeff Lewis（點(diǎn)擊放大） 可用于28nm工藝high-k及金屬柵極工藝（點(diǎn)擊放大） 美國(guó)SuVolta公司表示，LSI工作速度不
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英特爾宣布22nm芯片采用全新3D結(jié)構(gòu)(圖)
5月4日，英特爾公司美國(guó)加州總部宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小的元件。自50多年前硅晶體管發(fā)明以來(lái)， 3D結(jié)構(gòu)晶體管史無(wú)前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特爾將推出被稱為三柵極(
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觀點(diǎn)：22納米3D晶體管是否足以使英特爾擊敗ARM？
英特爾最近發(fā)布了22納米三柵極晶體管技術(shù)(參閱電子工程專輯報(bào)道：圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時(shí)代)，市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli認(rèn)為該技術(shù)使得這家世界第一的芯片廠商得以進(jìn)軍智能手機(jī)與多媒體平板市場(chǎng)、同時(shí)
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高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在年底進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)，批量投產(chǎn)研發(fā)代號(hào)Ivy BRIDGE的22納米英特爾CPU，并在美國(guó)展
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英特爾再掀科技革命 3D晶體管技術(shù)解析
2011年5月4日，英特爾公司宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小元件，自50多年前硅晶體管發(fā)明以來(lái)，3-D結(jié)構(gòu)晶體管史無(wú)前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特將推出被稱為三柵級(jí)(Tri-Gate)
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圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時(shí)代
作者：孫昌旭 業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在年底進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)，批量投產(chǎn)研發(fā)代號(hào)Ivy Bridge的22納米英特爾
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Intel 22nm三柵技術(shù)后續(xù)報(bào)道：聽(tīng)聽(tīng)分析師們?cè)趺凑f(shuō)？
作為對(duì)Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道，我們搜集了多位業(yè)界觀察家對(duì)此的理解和意見(jiàn)，以便大家能在Intel不愿意過(guò)早透露22nm三柵技術(shù)較多技術(shù)細(xì)節(jié)的情況下能更深入地理解這種技術(shù)。 鰭數(shù)可按需要進(jìn)行調(diào)整（Intel 2
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英文句號(hào)"." 容下約600萬(wàn)個(gè)電晶體
Intel 宣布將正式量產(chǎn)全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體，再次向宣示其半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，回首半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，首顆電晶體成品非常大，甚以可以用手直接進(jìn)行組裝，與全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 電晶體相較， 1
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