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臺積電日本舉辦技術論壇介紹20nm技術開發(fā)及晶圓處理能力提高狀況
臺灣臺積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術論壇“TSMC2010ExecutiveForumonLeadingEdgeTechnology”。臺積電負責研發(fā)的高級副總裁蔣尚義就技術開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/28nm及22
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GLOBALFOUNDRIES和ARM發(fā)布28nm SoC技術 2010年下半年即可使用
美國GLOBALFOUNDRIES公司和英國ARM公司共同開發(fā)了移動設備用28nm級的SoC技術，并在正于西班牙巴塞羅那市舉行的 “Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上發(fā)布。該技術基于ARM的“Cortex-A9處理器”和物理層IP內(nèi)核
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臺積電日本舉辦技術論壇 介紹20nm技術開發(fā)及晶圓處理能力提高狀況
臺灣臺積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術論壇“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。臺積電負責研發(fā)的高級副總裁蔣尚義就技術開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/2
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臺積電日本舉辦技術論壇，介紹20nm技術及晶圓處理提高狀況
臺灣臺積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術論壇“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。臺積電負責研發(fā)的高級副總裁蔣尚義就技術開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/2
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GLOBALFOUNDRIES和ARM發(fā)布28nm SoC技術，2010年下半年即可使用
美國GLOBALFOUNDRIES公司和英國ARM公司共同開發(fā)了移動設備用28nm級的SoC技術，并在正于西班牙巴塞羅那市舉行的“Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上發(fā)布。該技術基于ARM的“Cortex-A9處理器”和物理層IP內(nèi)核，
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電子管放大器抑制50赫交流聲的原理方法
一、燈絲電壓放大器的影響 電子管柵極與燈絲之間存在電容Cf，50赫的交流燈絲電壓將通過Cf使燈絲與柵極之間出現(xiàn)漏電流IA，IA流過輸入端從而帶來了干擾，這個在輸入級產(chǎn)生的干擾電壓雖然很少，但經(jīng)過幾級放大后，對放
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高通與臺積電攜手開發(fā)28nm工藝，2010年中期委托臺積電生產(chǎn)
美國高通（Qualcomm）與臺灣臺積電（TSMC）將就28nm邏輯LSI的工藝開發(fā)與制造展開合作。臺積電計劃從2010年中期開始為高通量產(chǎn)28nm產(chǎn)品。高通將在該公司的便攜終端用芯片組“Snapdragon”等產(chǎn)品上采用28nm工藝。
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臺灣聯(lián)電稱將于2010年下半年推出28納米制程
臺灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。 據(jù)悉，
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臺灣聯(lián)電稱將于2010年下半年推出28納米制程
臺灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。據(jù)悉，早
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臺灣聯(lián)電稱明年發(fā)展28納米技術 疑追趕臺積電
臺灣芯片代工廠商聯(lián)電日前在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。據(jù)悉，早
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東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破
東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設備的大門，成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級
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傳臺積電取消32nm工藝
據(jù)稱，全球第一大半導體代工廠臺積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。 臺積電方面尚未就此發(fā)表官方評論，不過已經(jīng)有多個消息來源確認了這一點。 不過這并不意味著
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瑞薩與松下聯(lián)手開發(fā)領先SoC工藝
瑞薩科技公司與松下公司共同宣布，在瑞薩那珂分部(茨城縣日立那珂市)集中精力聯(lián)合開發(fā)領先的SoC工藝技術，并將其28-32nm工藝開發(fā)線投入運營。在瑞薩那珂分部，兩家公司正通過致力于對300mm晶圓產(chǎn)品線的聯(lián)合開發(fā)和提供
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瑞薩與松下聯(lián)手打造新型SoC工藝技術開發(fā)線
瑞薩與松下聯(lián)手打造新型SoC工藝技術開發(fā)線
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GLOBALFOUNDRIES將在GSA展突顯32nm/28nm技術領先地位
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">隨著半導體行業(yè)開始向下一代技術節(jié)點過渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術領先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州
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光學量子計算機芯片首次執(zhí)行運算
英國布里斯托爾大學的研究人員們ijnri制作了一顆光學量子計算機芯片的樣品，而且第一次執(zhí)行了數(shù)學運算，向?qū)嵱眯粤孔佑嬎銠C又邁出了重要的一步?！ ∵@個光學量子計算芯片非常小，之上搭載了更加迷你的二氧化硅波導。
