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光學(xué)量子計(jì)算機(jī)芯片首次執(zhí)行運(yùn)算
英國布里斯托爾大學(xué)的研究人員們ijnri制作了一顆光學(xué)量子計(jì)算機(jī)芯片的樣品，而且第一次執(zhí)行了數(shù)學(xué)運(yùn)算，向?qū)嵱眯粤孔佑?jì)算機(jī)又邁出了重要的一步?！ ∵@個(gè)光學(xué)量子計(jì)算芯片非常小，之上搭載了更加迷你的二氧化硅波導(dǎo)。
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臺積電準(zhǔn)備明年初提供28nm全代工藝
臺積電研發(fā)副總裁Jack Sun在日本舉行的一次研討會上宣布，28nm低功耗生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)研發(fā)成功，將在2010年初作為全代(full node)工藝為客戶提供代工服務(wù)，并可選高性能和低功耗兩種應(yīng)用類別。 臺積電表示，借助雙/三柵
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Schiltron與Entrepix合作利用CMP達(dá)成3-D閃存制造新架構(gòu)
3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及代工服務(wù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴(kuò)大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flas
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Schiltron與Entrepix合作利用CMP達(dá)成3-D閃存制造新架構(gòu)?
3-D Flash新創(chuàng)公司Schiltron Corporation與專門提供化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備及代工服務(wù)的領(lǐng)先供應(yīng)商Entrepix合作發(fā)展使用現(xiàn)有的材料，工具和制程的方法制造3-D Flash，從而利用簡單直接的方式擴(kuò)大產(chǎn)量。 Schiltron 3-D Flas
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數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實(shí)用的信號處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的信號時(shí)應(yīng)用。如果不能容納輸入信號振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
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數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實(shí)用的信號處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的信號時(shí)應(yīng)用。如果不能容納輸入信號振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
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數(shù)字可編程增益放大器應(yīng)用發(fā)散指數(shù)曲線
DPGA（數(shù)字可編程增益放大器）是一種實(shí)用的信號處理元件，在模數(shù)轉(zhuǎn)換器必須獲取廣泛動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的信號時(shí)應(yīng)用。如果不能容納輸入信號振幅以便匹配和有效地利用模數(shù)轉(zhuǎn)換器跨度，低輸入可能不能以足夠的分辨率數(shù)字化，高
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ASM高k原子層淀積工具獲臺灣晶圓廠選用
ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k柵極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar® 原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。 除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k柵極技術(shù)進(jìn)行制程開發(fā)活
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半導(dǎo)體巨頭推動(dòng)工藝研發(fā) 三個(gè)陣營角力
遵循“摩爾定律”的指引，全球半導(dǎo)體巨頭正邁向32納米工藝；不過，其研發(fā)策略卻各不相同。 全球32納米芯片微細(xì)技術(shù)開發(fā)主要有3個(gè)陣營，參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國
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聯(lián)華試制采用high-k金屬柵極的45nm工藝SRAM
臺灣聯(lián)華電子（United Microelectronics，UMC）采用high-k柵極絕緣膜和金屬柵極技術(shù)，試制出45nm工藝的SRAM英文發(fā)布資料。至此，實(shí)現(xiàn)32/28nm工藝用high-k/金屬柵極技術(shù)的第一階段已完成。該公司2008年10月試制出了2
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IBM制造出22nm SRAM單元
IBM研究小組聲稱，他們已與聯(lián)合行業(yè)及大學(xué)開發(fā)伙伴共同制造出世界最小的SRAM位單元。該SRAM位單元采用22nm設(shè)計(jì)規(guī)則制造，大小僅0.1mm2。 此款SRAM是IBM與AMD、飛思卡爾、意法半導(dǎo)體、東芝以及紐約的奧爾巴尼大學(xué)納
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電子管SRPP倒相電路
SRPP電子管共陰極倒相電路： SRPP電子管共柵極倒相電路：
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2.5G和3G基站用功率放大器的監(jiān)控
蜂窩通信的發(fā)展與先進(jìn)調(diào)制方案的關(guān)系日益密切。在最新一代(2.5G和3G)基站中，設(shè)計(jì)策略包括實(shí)現(xiàn)高線性度同時(shí)把功耗減至最小的方法。
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技術(shù)探秘：英特爾45納米高k金屬柵極工藝
英特爾出貨采用高k金屬柵極技術(shù)的首款45納米微處理器。不論是為了突出這件事的重要意義，還是為了強(qiáng)調(diào)其著名定律仍然有效，摩爾已成為英特爾45納米技術(shù)營銷活動(dòng)的主角。摩爾稱這項(xiàng)創(chuàng)新是“20世紀(jì)60年代多晶硅柵極MOS
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技術(shù)探秘：英特爾45納米高k金屬柵極工藝
技術(shù)探秘：英特爾45納米高k金屬柵極工藝
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臺積電將為AMD代工制造45納米工藝芯片
臺積電CEO蔡力行(RickTsai)向分析人士表示，臺積電將在2008年為尚未公布名字的客戶制造處理器。 他說，我們預(yù)計(jì)將于明年下半年開始制造處理器，這一交易將對臺積電的收入做出重大貢獻(xiàn)。 蔡力行沒有披露更多細(xì)節(jié)，但表
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