柵極

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檢測(cè)顯像管時(shí)應(yīng)從哪幾個(gè)方面進(jìn)行

(1)燈絲好壞的檢測(cè)顯像管燈絲是否正常，可通過萬用表Rx1擋進(jìn)行檢測(cè)給以判斷。讓紅、黑表筆分別接燈絲兩引腳，測(cè)其阻值，正常值應(yīng)為1OΩ左右，如阻值為的，說明燈絲已斷。給顯像管通電時(shí)，觀察管頸尾部的燈絲是否

顯示光電
2012-05-23

電極萬用表柵極引腳
透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)與成像原理介紹

透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)與成像原理透射電子顯微鏡是以波長極短的電子束作為照明源，用電磁透鏡聚焦成像的一種高分辨率、高放大倍數(shù)的電子光學(xué)儀器。 There are four main components to a transmission electron mi

顯示光電
2012-05-09

電子顯微鏡 MDASH BSP 柵極
場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法及相關(guān)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)

一、用指針式萬用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)

測(cè)試測(cè)量
2012-05-04

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法電阻值柵極
場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法及相關(guān)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)

一、用指針式萬用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)

功率器件
2012-05-02

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法電阻值柵極
帶柵極外偏置電路的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖

在該放大器電路中.MPF162型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極采用外部電壓偏置,從而能夠很好的控制工作電和獲得好的偏置條件。 620)this.width=620;" onclick="window.open(this.src)" style="cursor:pointer" alt="點(diǎn)擊看大圖" />

音頻視頻電路
2012-03-30

放大電路圖場(chǎng)效應(yīng)管偏置電路柵極
Globalfoundries與AMD協(xié)議分手將完全獨(dú)立

AMD上周日宣布放棄其剩余的14% Globalfoundries股權(quán)，支付4.25億美金給Globalfoundries作為晶圓代工廠供應(yīng)協(xié)議修改的費(fèi)用，該協(xié)議將允許AMD和其他代工廠合作實(shí)現(xiàn)28nm工藝節(jié)點(diǎn)。Globalfoundries同意放棄為AMD在特定時(shí)

智能硬件
2012-03-16

處理器 AMD GLOBALFOUNDRIES 柵極
英特爾為Tabula代工，22nm三柵極技術(shù)將導(dǎo)入FPGA產(chǎn)品

Tabula公司主頁上刊登的圖片，突出兩個(gè)“3D”。（點(diǎn)擊放大）美國Tabula宣布，美國英特爾將為其代工22nmFPGA “ABAX”（英文發(fā)布資料）。英特爾在開發(fā)代號(hào)為“Ivy Bridge”的22nm微處理器中采用了被稱為“三柵極（

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2012-02-24

FPGA 英特爾 IMAGE 柵極
聯(lián)華電子穩(wěn)扎穩(wěn)打提前推出28納米芯片(組圖)

聯(lián)華電子將會(huì)提前推出采用28納米工藝制造的芯片。分析機(jī)構(gòu)相信聯(lián)華電子將能夠在第二季度或者第三季度采用UMC 28LPT技術(shù)為德州儀器生產(chǎn)OMAP5系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。芯片代工廠聯(lián)華期待28納米生產(chǎn)工藝能夠?yàn)?012財(cái)年帶來5%左

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2012-02-14

聯(lián)電納米芯片聯(lián)華電子柵極
瑞薩領(lǐng)先業(yè)界開發(fā)出40nm工藝的MCU混載閃存技術(shù)

試制的40nm閃存混載芯片瑞薩電子2011年12月14日宣布開發(fā)出了40nm工藝的MCU混載閃存技術(shù)。采用該技術(shù)的首款產(chǎn)品——車載閃存混載MCU預(yù)定2012年初秋開始樣品供貨。目前正在量產(chǎn)的閃存混載MCU，即使是最高端產(chǎn)

單片機(jī)
2011-12-16

溫度 MCU 閃存技術(shù) 柵極
GLOBALFOUNDRIES新CEO首次來日舉辦發(fā)布會(huì)

美國大型硅代工企業(yè)GLOBALFOUNDRIES于2011年12月12日舉行了記者發(fā)布會(huì)，此次是該公司新任首席執(zhí)行官Ajit Manocha首次來到日本。Manocha在發(fā)布會(huì)上表示，“我們構(gòu)建了新的硅代工模式。今后將作為業(yè)界領(lǐng)頭羊開辟未來”

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2011-12-15

CE GLOBALFOUNDRIES 電極柵極
電子管放大器抑制交流聲的原理及方法

一、燈絲電壓放大器的影響電子管柵極與燈絲之間存在電容Cf，50赫的交流燈絲電壓將通過Cf使燈絲與柵極之間出現(xiàn)漏電流IA，IA流過輸入端從而帶來了干擾，這個(gè)在輸入級(jí)產(chǎn)生的干擾電壓雖然很少，但經(jīng)過幾級(jí)放大后，對(duì)放

消費(fèi)電子
2011-12-03

電壓電子管放大器 BSP 柵極
從柵極到電網(wǎng)——講述英特爾的數(shù)據(jù)中心能效故事

隨著云計(jì)算的普及和移動(dòng)數(shù)據(jù)的爆炸性增長，我們正在面對(duì)一個(gè)難以支持的用電量快速攀升問題。據(jù)估算，當(dāng)今數(shù)據(jù)中心消耗了全球約 1.5% 的電能i，年度成本高達(dá) 260 億美元ii。從單個(gè)晶體管層面到處理器、服務(wù)器平

消費(fèi)電子
2011-11-29

電網(wǎng) 英特爾數(shù)據(jù)中心柵極
臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次

消費(fèi)電子
2011-11-07

芯片臺(tái)積電 HP 柵極
臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nmHP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nmLP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半

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2011-11-04

芯片臺(tái)積電 HP 柵極
臺(tái)積電計(jì)劃2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次

消費(fèi)電子
2011-11-04

芯片臺(tái)積電 HP 柵極
臺(tái)積電計(jì)劃2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-11-04

芯片臺(tái)積電 HP 柵極
臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次

半導(dǎo)體
2011-11-04

芯片臺(tái)積電 HP 柵極
臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次

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2011-11-04

芯片臺(tái)積電 HP 柵極
英特爾3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲年度科技創(chuàng)新獎(jiǎng)

10月21日上午消息，《華爾街日?qǐng)?bào)》近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎(jiǎng)”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎(jiǎng)。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變。這項(xiàng)革命性成果，其關(guān)鍵

消費(fèi)電子
2011-10-24

晶體管英特爾創(chuàng)新獎(jiǎng) 柵極
臺(tái)積電28nm技術(shù)再次推遲

臺(tái)積電作為全球最大的集成電路制造公司，其工藝進(jìn)展情況關(guān)系到無數(shù)半導(dǎo)體企業(yè)的產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間和計(jì)劃。但前段時(shí)間，臺(tái)積電兩位高管發(fā)表的聲明，備受關(guān)注的28nm工藝再次推遲。臺(tái)積電CEO兼董事會(huì)主席張忠謀近日表示：“我

消費(fèi)電子
2011-08-25

臺(tái)積電 IO HP 柵極

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柵極

檢測(cè)顯像管時(shí)應(yīng)從哪幾個(gè)方面進(jìn)行

透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)與成像原理介紹

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法及相關(guān)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法及相關(guān)測(cè)試經(jīng)驗(yàn)

帶柵極外偏置電路的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖

Globalfoundries與AMD協(xié)議分手將完全獨(dú)立

英特爾為Tabula代工，22nm三柵極技術(shù)將導(dǎo)入FPGA產(chǎn)品

聯(lián)華電子穩(wěn)扎穩(wěn)打提前推出28納米芯片(組圖)

瑞薩領(lǐng)先業(yè)界開發(fā)出40nm工藝的MCU混載閃存技術(shù)

GLOBALFOUNDRIES新CEO首次來日舉辦發(fā)布會(huì)

電子管放大器抑制交流聲的原理及方法

從柵極到電網(wǎng)——講述英特爾的數(shù)據(jù)中心能效故事

臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

臺(tái)積電計(jì)劃2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

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臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

英特爾3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲年度科技創(chuàng)新獎(jiǎng)

臺(tái)積電28nm技術(shù)再次推遲

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