柵極

攝像管柵極降壓保護(hù)電路

非一般的晶體管

“一個(gè)蝴蝶可以刮起一陣風(fēng)，一個(gè)士兵可以開始一場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)”，那么一項(xiàng)偉大的發(fā)明呢？1947年12月，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。于是乎，大名鼎鼎的、

臺(tái)積電：微縮化與大口徑我們都要領(lǐng)先

目前，在代工業(yè)界具有壓倒優(yōu)勢(shì)的是臺(tái)灣臺(tái)積電。臺(tái)積電2009年的銷售額約達(dá)90億美元，占了約一半的市場(chǎng)份額，把第二位以后的企業(yè)遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。該公司2010年宣布將進(jìn)行有史以來(lái)最大的設(shè)備投資，明顯地要進(jìn)一步擴(kuò)大其競(jìng)

AMD與Intel的制程工藝差距正在擴(kuò)大？

當(dāng)AMD在去年出售位于紐約北部的制造工廠GLOBALFOUNDRIES時(shí)，AMD宣稱此舉是為了“縮小與Intel的差距”。AMD制造系統(tǒng)技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示：“我們?cè)?5nm技術(shù)上與Intel相差一年，這一差距將在32nm技術(shù)上大幅縮小

臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義：微縮化與大口徑我們都要領(lǐng)先

目前，在代工業(yè)界具有壓倒優(yōu)勢(shì)的是臺(tái)灣臺(tái)積電。臺(tái)積電2009年的銷售額約達(dá)90億美元，占了約一半的市場(chǎng)份額，把第二位以后的企業(yè)遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。該公司2010年宣布將進(jìn)行有史以來(lái)最大的設(shè)備投資，明顯地要進(jìn)一步擴(kuò)大其競(jìng)

臺(tái)積電副總經(jīng)理蔣尚義：微縮化與大口徑我們都要領(lǐng)先

目前，在代工業(yè)界具有壓倒優(yōu)勢(shì)的是臺(tái)灣臺(tái)積電。臺(tái)積電2009年的銷售額約達(dá)90億美元，占了約一半的市場(chǎng)份額，把第二位以后的企業(yè)遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。該公司2010年宣布將進(jìn)行有史以來(lái)最大的設(shè)備投資，明顯地要進(jìn)一步擴(kuò)大其

首款單柵極邏輯產(chǎn)品（Diodes）

Diodes 公司推出旗下首款單柵極邏輯產(chǎn)品陣營(yíng)。其74LVC1Gxx 系列采用先進(jìn)的5V CMOS 技術(shù)，性能比現(xiàn)有的同類產(chǎn)品更為出色，該系列為用戶提供八個(gè)最受歡迎的標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能并設(shè)有SOT25 和 SOT353 兩種封裝選擇。74LVCE1Gx

IBM瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國(guó)IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確

先柵極還是后柵極 業(yè)界爭(zhēng)論高K技術(shù)

隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù).不過(guò)在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營(yíng)，分別是以IBM為代表的Gate-first

先柵極還是后柵極 業(yè)界爭(zhēng)論高K技術(shù)

隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù).不過(guò)在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營(yíng)，分別是以IBM為代表的Gate-first

先柵極還是后柵極 業(yè)界爭(zhēng)論高K技術(shù)

隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù).不過(guò)在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的 工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營(yíng)，分別是以IBM為代表的Gate-first

先柵極還是后柵極 業(yè)界爭(zhēng)論高K技術(shù)

先柵極還是后柵極 業(yè)界爭(zhēng)論高K技術(shù)

IBM確認(rèn)瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國(guó)IBMT.J.華生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)了工作情

IBM采用直徑3nm FET25級(jí)環(huán)形振蕩器動(dòng)作，瞄準(zhǔn)10nm以下工藝

美國(guó)IBM T.J.華生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國(guó)際會(huì)議“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，試制出了采用最小直徑為3nm的硅納米線FET的25級(jí)CMOS環(huán)形振蕩器，并實(shí)際確認(rèn)

GlobalFoundries宣布開發(fā)20nm工藝與22nm共存

GlobalFoundries近日宣布將會(huì)開發(fā)20nm半導(dǎo)體制造工藝，但與臺(tái)積電不同，新工藝將與 22nm共存，而且GF認(rèn)為這種半代工藝并不會(huì)消失。 臺(tái)積電不久前剛剛宣布，將跳過(guò)22nm工藝，改而直接上馬更先進(jìn)的20nm工藝，采用增強(qiáng)型

GlobalFoundries宣布開發(fā)20nm工藝 與22nm共存

GlobalFoundries今天宣布將會(huì)開發(fā)20nm半導(dǎo)體制造工藝，但與臺(tái)積電不同，新工藝將與22nm共存，而且GF認(rèn)為這種半代工藝并不會(huì)消失。 臺(tái)積電不久前剛剛宣布，將跳過(guò)22nm工藝，改而直接上馬更先進(jìn)的20nm工藝，采用增強(qiáng)

直接上20nm? 臺(tái)積電玩火又要坑NV+AMD

為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研發(fā)，直接上馬更高級(jí)的20nm工藝。 有趣的是，臺(tái)積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經(jīng)不約而同地先后取消了32nm Bul

臺(tái)積電轉(zhuǎn)守為攻

接收本雜志訪問(wèn)的臺(tái)積電蔣尚義（攝影：山田 慎二） 臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）推出了通過(guò)設(shè)備投資和技術(shù)開發(fā)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的戰(zhàn)略。該公司2009年實(shí)現(xiàn)了31％的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率，2010年將實(shí)施大幅超過(guò)其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的48億美元設(shè)備投資

傳三星正積極研究Gate-last工藝

據(jù)消息來(lái)源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉(zhuǎn)向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來(lái)的計(jì)劃，他們將在年內(nèi)推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來(lái)制作hi

臺(tái)積電介紹20nm技術(shù)開發(fā)及晶圓處理能力提高狀況

臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）2010年2月24日在橫濱舉行了技術(shù)論壇“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義就技術(shù)開發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/2