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阿爾特拉與英特爾合作，按產(chǎn)品區(qū)分對(duì)待14nm和20nm技術(shù)
大型FPGA供應(yīng)商阿爾特拉與全球最大規(guī)模的半導(dǎo)體企業(yè)英特爾日前宣布，雙方已達(dá)成一致，阿爾特拉今后的FPGA產(chǎn)品將采用英特爾的14nm工藝三柵極工藝技術(shù)制造。身為無廠半導(dǎo)體供應(yīng)商的阿爾特拉此前是委托全球最大規(guī)模的硅
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阿爾特拉與英特爾合作，按產(chǎn)品區(qū)分對(duì)待14nm和20nm技術(shù)
大型FPGA供應(yīng)商阿爾特拉與全球最大規(guī)模的半導(dǎo)體企業(yè)英特爾日前宣布，雙方已達(dá)成一致，阿爾特拉今后的FPGA產(chǎn)品將采用英特爾的14nm工藝三柵極工藝技術(shù)制造。身為無廠半導(dǎo)體供應(yīng)商的阿爾特拉此前是委托全球最大規(guī)模的硅
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Altera采用Intel的14nm三柵極技術(shù)開發(fā)下一代高性能FPGA
Altera公司和Intel公司日前宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，未來將采用Intel的14 nm三柵極晶體管技術(shù)制造Altera FPGA。這些下一代產(chǎn)品主要面向軍事、固網(wǎng)通信、云網(wǎng)絡(luò)以及計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用等超高性能系統(tǒng)，將突破目前其他技術(shù)
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Altera采用Intel的14 nm三柵極技術(shù)開發(fā)下一代高性能FPGA
21ic訊 Altera公司和Intel公司今天宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，未來將采用Intel的14 nm三柵極晶體管技術(shù)制造Altera FPGA。這些下一代產(chǎn)品主要面向軍事、固網(wǎng)通信、云網(wǎng)絡(luò)以及計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用等超高性能系統(tǒng)，將突破目前其
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MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
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臺(tái)積電投資90億美元建五條28～16nm生產(chǎn)線
在2013年2月6日舉辦的“全球半導(dǎo)體論壇＠東京2013”（主辦：《日經(jīng)電子》）上登臺(tái)演講的臺(tái)積電日本公司代表董事小野寺誠介紹了臺(tái)積電（TSMC）2013年的微細(xì)化投資計(jì)劃。臺(tái)積電2013年的設(shè)備投資額計(jì)劃為90億美元，比上
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常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)
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美開發(fā)出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導(dǎo)體作為微芯片之王的日子已經(jīng)屈指可數(shù)了，據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國麻省理工學(xué)院科學(xué)家開發(fā)出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統(tǒng)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)開發(fā)的這個(gè)復(fù)合晶體管，長度僅為22納米。研究
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英特爾有望明年實(shí)現(xiàn)22nm工藝SoCs芯片
近日消息，據(jù)路透社報(bào)道，英特爾重申，明年有望實(shí)現(xiàn)22nm工藝SoCs芯片，因?yàn)樵摴菊谠噲D縮小他和ARM、高通和NVIDIA等競爭對(duì)手之間的差距。 “英特爾的22nm工藝SoC芯片，將于2013年開始準(zhǔn)備大批量制造”本
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NAND閃存要“長生不老”：測(cè)試1億次循環(huán)掛不了
固態(tài)硬盤普及了，隨之而來的可靠性和壽命問題越發(fā)引人關(guān)注，特別是隨著NAND閃存工藝的進(jìn)步，反而越來越不耐用了：MCL NAND閃存再25nm時(shí)代還有3000-5000次的編程/擦寫循環(huán)(P/E)，20nm時(shí)代就只有3000次了
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IGBT絕緣柵雙極晶體管柵極過壓保護(hù)電路圖
IGBT的柵極過壓的原因1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓。2.電容密勒效應(yīng)引起的柵極過壓。 為防止IGBT的柵極-發(fā)射極過壓情況發(fā)生，應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極之間并接一只幾十千
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帶柵極外偏置電路的場效應(yīng)管放大電路圖
在該放大器電路中.MPF162型場效應(yīng)管的柵極采用外部電壓偏置,從而能夠很好的控制工作電和獲得好的偏置條件。
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功率管理技術(shù)介紹
隨著由電池供電的便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品的增長，IC芯片的功耗已成為了一個(gè)世界性的問題，設(shè)計(jì)者必須通過配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)卻要求工程師開發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費(fèi)類產(chǎn)品
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電子管放大器抑制交流聲的原理介紹
一、燈絲電壓放大器的影響 電子管柵極與燈絲之間存在電容Cf，50赫的交流燈絲電壓將通過Cf使燈絲與柵極之間出現(xiàn)漏電流IA，IA流過輸入端從而帶來了干擾，這個(gè)在輸入級(jí)產(chǎn)生的干擾電壓雖然很少，但經(jīng)過幾級(jí)放大后，對(duì)放
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光電探測(cè)器陣列CCD攝像器件
目前廣泛使用的攝像器件是CCD型攝像器件。CCD于1970年由貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明[82]，此后關(guān)于CCD的研究蓬勃發(fā)展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um減小到了1995年的5 gm，像素單元也從最早的不足2000增加到兩千六百多萬[83]。
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如何突破EDA功率的瓶頸
要點(diǎn):1,雖然每個(gè)小組可以優(yōu)化局部功耗，但單個(gè)團(tuán)隊(duì)不可能創(chuàng)建出一個(gè)低功耗設(shè)計(jì)。反之，任何一個(gè)小組都可能摧毀這種努力。2,功率估計(jì)是一種精確的科學(xué)。但是，只有當(dāng)你擁有了一個(gè)完整設(shè)計(jì)和一組正確的矢量后，這種概念
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電子管的三種工作狀態(tài)
電子管放大器的工作狀態(tài)決定于放大器柵極電路中所加?xùn)牌珘篍g的大少，見圖Z，改變柵偏壓Eg，陽極電流中的直流分量就要發(fā)生變化。當(dāng)柵極偏壓Eg等于截止柵壓Ug0的一半時(shí)，在交流信號(hào)變化的整個(gè)周期內(nèi)均有陽極電流流過，
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工作在高頻率的簡單鋸齒波發(fā)生器
脈沖寬度調(diào)制信號(hào)發(fā)生器電路通常會(huì)使用一個(gè)模擬鋸齒波振蕩器功能，但它也可以用于其它應(yīng)用。圖1中是一只廉價(jià)的鋸齒波發(fā)生器，它用于頻率可高達(dá)10MHz甚至更高的小功率應(yīng)用，以及那些對(duì)斜坡線性度和頻率精度要求不高的
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
0 引言近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
0 引言近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流
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