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淺談?dòng)⑻貭柡髺艠O工藝
很多人知道28nm制程比40納米先進(jìn)，耗電更低、發(fā)熱更少、集成的晶體管更多。更進(jìn)一步，不少人還知道HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)是實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)制程的必備技術(shù)。但了解HKMG的兩種工藝——前柵極/后柵極的人就
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英特爾為什么牛X——移動(dòng)芯片制程工藝一覽
說(shuō)了一大堆，無(wú)非論證了，除了大家熟悉的xx納米（線(xiàn)寬）越小制程越先進(jìn)，評(píng)價(jià)目前半導(dǎo)體制程水平還有兩點(diǎn)：Poly/SiON柵極和HKMG柵極的檔次差距，以及如果同樣是HKMG柵極的情況下，采用前柵極工藝（gate-first）和后柵
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英特爾臺(tái)積電三星GF工藝制程對(duì)比
說(shuō)了一大堆，無(wú)非論證了，除了大家熟悉的xx納米（線(xiàn)寬）越小制程越先進(jìn)，評(píng)價(jià)目前半導(dǎo)體制程水平還有兩點(diǎn)：Poly/SiON柵極和HKMG柵極的檔次差距，以及如果同樣是HKMG柵極的情況下，采用前柵極工藝（gate-first）和后柵
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英特爾為何能當(dāng)老大：后柵極工藝淺談
訊：半導(dǎo)體制程工藝上，英特爾要是說(shuō)第二，那沒(méi)人敢說(shuō)第一。晶圓制造這個(gè)圈子，英特爾毫無(wú)疑問(wèn)處于第一流，其他廠(chǎng)商包括IBM，英飛凌，NEC，意法半導(dǎo)體以及東芝等公司，以及目前半導(dǎo)體代工行業(yè)的老大老二老三&m
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入門(mén)分享：3D三維晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
眾所周知，晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。但很多人都不明白什么是3D三維晶體管.今天就讓我們一起從下文的五個(gè)方面來(lái)了解有關(guān)3D三維晶體管的一些基礎(chǔ)知識(shí)。
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利用升壓三極管獲取更多功率的方法
核心器件: 6L6束射功率管本設(shè)計(jì)實(shí)例采用的6L6束射功率管盡管已經(jīng)存在了66年，現(xiàn)仍然十分流行地應(yīng)用于電吉他放大器中，與其同類(lèi)的6CA7 (EL34)功率五極管也是高保真音響"發(fā)燒
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功率MOSFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源注意的問(wèn)題
功率MOSFET應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源時(shí)應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題。(1)柵極電路的阻抗非常高，易翼靜電損壞。(2)直流輸入阻抗高，但輸入容量大，高頻時(shí)輸入阻抗低，因此，需要降低驅(qū)動(dòng)電路阻
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鍵控音量耳機(jī)放大器
鍵控音量耳機(jī)放大器
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高頻功率放大器的中和問(wèn)題
以真空電子管為核心放大器件的大功率高頻功率放大器，其電子管極間電容的存在，會(huì)引起高頻功率放大電路直通和反作用的不良影響，進(jìn)而影響高頻功率放大器的穩(wěn)定工作。本文通過(guò)分析極間電容直通和反作用產(chǎn)生的原理，給出了幾種消除極間電容寄生參數(shù)的方法，并總結(jié)了實(shí)際中用中和電路消除極間電容寄生參數(shù)的調(diào)整方法，對(duì)高頻功率放大器發(fā)射機(jī)的實(shí)際調(diào)試與維護(hù)有很強(qiáng)的理論與實(shí)際指導(dǎo)意義。
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柵極導(dǎo)電層Au 遷移導(dǎo)致放大器失效原因分析
針對(duì)限幅低噪聲放大器使用過(guò)程中出現(xiàn)輸出不穩(wěn)定現(xiàn)象，利用掃描電鏡和能譜儀對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管柵極表面的金屬缺失層和柵源之間的金屬堆積物進(jìn)行微觀(guān)分析，尋找放大器工作不正常的原因。結(jié)果表明：場(chǎng)效應(yīng)管柵極Au層的電遷移，使導(dǎo)線(xiàn)局部電阻增大，溫度升高，導(dǎo)致Au 的熱遷移加重，引起導(dǎo)線(xiàn)出現(xiàn)孔洞和柵源中間堆積金屬顆粒，使柵極導(dǎo)線(xiàn)出現(xiàn)開(kāi)路和柵源極間產(chǎn)生不穩(wěn)定接觸，最終導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管的工作參數(shù)漂移和放大器工作不正常。
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MOS管被靜電擊穿的幾個(gè)原因
我們?cè)趯?shí)際電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)調(diào)試過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)有這樣的疑問(wèn)，MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入
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HL402的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理圖
HL402的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理圖
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音色純真的電子管擴(kuò)音機(jī)
音色純真的電子管擴(kuò)音機(jī)
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英特爾:突破科技極限 用創(chuàng)新引領(lǐng)未來(lái)
21ic訊—英特爾公司創(chuàng)立已經(jīng)45年了，進(jìn)入中國(guó)也已28年。今天的英特爾，正在設(shè)計(jì)和構(gòu)建關(guān)鍵技術(shù)，為全球的計(jì)算設(shè)備奠定基礎(chǔ)。英特爾有一個(gè)清晰的愿景：創(chuàng)新和擴(kuò)展計(jì)算技術(shù)，連接世界上每一個(gè)人，讓大家的生活更美
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Mouser率先備貨Fairchild FOD8160邏輯柵極光耦合器
21ic訊 Mouser Electronics率先備貨新的Fairchild FOD8160邏輯柵極光耦合器，該產(chǎn)品非常適合發(fā)電和配電、工業(yè)電機(jī)以及不間斷電源應(yīng)用。FOD8160高速光耦合器支持隔離式通信
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飛兆半導(dǎo)體的高速邏輯柵極光電耦合器 符合新寬體5引腳SOP封裝的更高絕緣要求
10mm爬電和間隙距離;符合高壓工業(yè)設(shè)計(jì)所需的嚴(yán)格安全標(biāo)準(zhǔn)從事工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要在噪聲很常見(jiàn)(以電壓瞬態(tài)和接地環(huán)路電流的形式)的環(huán)境中可靠地傳輸高速數(shù)據(jù)。 他們還需
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常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
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人體接近報(bào)警器電路
人體接近報(bào)警器電路
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場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)和使用
一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極
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MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電
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