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自給偏壓共源放大電路
自給偏壓共源放大電路
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固定式偏置電路
固定式偏置電路
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場效應(yīng)管三種組態(tài)電路c
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場效應(yīng)管三種組態(tài)電路b
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場效應(yīng)管三種組態(tài)電路a
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高輸入阻抗緩沖放大器
高輸入阻抗緩沖放大器
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臺積電公布開發(fā)藍(lán)圖 “45nm的量產(chǎn)有望07年Q3開始”
【導(dǎo)讀】臺積電公布開發(fā)藍(lán)圖 “45nm的量產(chǎn)有望07年Q3開始” 臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）在日本橫浜市舉行了記者招待會(huì)，披露了其技術(shù)開發(fā)藍(lán)圖以及針對日本市場的措施。臺積電的孫元
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Diodes 推出全新邏輯產(chǎn)品 性能超越業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)器件
【導(dǎo)讀】Diodes 公司推出旗下首款單柵極邏輯產(chǎn)品陣營。其74LVC1Gxx 系列采用先進(jìn)的5V CMOS 技術(shù)，性能比現(xiàn)有的同類產(chǎn)品更為出色，該系列為用戶提供八個(gè)最受歡迎的標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能并設(shè)有SOT25 和 SOT353 兩種封裝選擇。
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三柵極3D晶體管，無法左右英特爾ARM之爭
【導(dǎo)讀】。英特爾 VS AMD就是熱議多年的話題，然后又變成微軟 VS 谷歌?，F(xiàn)在最有趣的一對是英特爾 VS ARM。英特爾發(fā)布三柵極3D晶體管之后，關(guān)于該技術(shù)能否左右二者之間的戰(zhàn)局業(yè)界已有很多評論文章。 摘要： 。英
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MOS開關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一
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Altera展示基于Intel 14nm三柵極工藝的FPGA技術(shù)
Altera公司日前展示了基于Intel 14 nm三柵極工藝的FPGA技術(shù)?；?4 nm的FPGA測試芯片采用了關(guān)鍵知識產(chǎn)權(quán)(IP)組件——收發(fā)器、混合信號IP以及數(shù)字邏輯，這些組件用在Stratix 10 FPGA和SoC中。Altera與Intel合作開發(fā)了
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Altera樹業(yè)界里程碑：展示基于Intel 14nm三柵極工藝FPGA技術(shù)
14 nm FPGA測試芯片確認(rèn)了在使用業(yè)界最先進(jìn)的工藝技術(shù)時(shí) Altera獲得的性能、功耗和密度優(yōu)勢21ic訊 Altera公司今天展示了基于Intel 14 nm三柵極工藝的FPGA技術(shù)。基于14 nm的FPGA測試芯片采用了關(guān)鍵知識產(chǎn)權(quán)(IP)組件&
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柵極電阻與泄放電阻
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用?一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S;第一個(gè)作用好理解，這里解釋一下第二個(gè)作用的原理——保護(hù)柵極G-源極S：場效應(yīng)管的
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7nm之后 晶體管技術(shù)何去何從？
FinFET晶體管大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們？在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FDSOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮
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7nm之后 晶體管技術(shù)何去何從？
FinFET晶體管大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們？在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FDSOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮
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移動(dòng)芯片大比拼之工藝制程分析
移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域，高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動(dòng)芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動(dòng)通信芯片廠商都不約而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有兩個(gè)工藝方
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FinFET工藝之后 晶體管技術(shù)何去何從？
大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們?在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FDSOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)
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N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究
摘要：N+緩沖層設(shè)計(jì)對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，
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中芯國際將通過微細(xì)化獲得客戶，已建立28nm工藝量產(chǎn)體制
中國最大的半導(dǎo)體芯片代工企業(yè)——中芯國際（SMIC）的CEO邱慈云在“SEMICON Japan 2013”（2013年12月4～6日，MESSE國際會(huì)展中心）首日舉行的“GSA論壇”上登臺演講。邱慈云表示，美國的大型無廠企業(yè)一直都是中芯國際
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淺談?dòng)⑻貭柡髺艠O工藝
很多人知道28nm制程比40納米先進(jìn)，耗電更低、發(fā)熱更少、集成的晶體管更多。更進(jìn)一步，不少人還知道HKMG(high-k絕緣層金屬柵極)是實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)制程的必備技術(shù)。但了解HKMG的兩種工藝——前柵極/后柵極的人就很少了吧。H
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