-
東芝首款搭載96層3D閃存的XG6固態(tài)硬盤
參數(shù)方面，東芝XG6固態(tài)硬盤采用的是東芝TC58NCP090GSD主控，通過PCI-e 3.0X4通道，支持NVMe 1.3a規(guī)范，共有256GB、512GB以及1TB 3種規(guī)格。
-
明年將有3家國產(chǎn)廠商加入DDR4內(nèi)存、3D閃存芯片市場！
這幾年來國內(nèi)開始大力發(fā)展存儲芯片，形成了長江存儲、福建晉華及合肥長鑫三大陣營，他們都將在2019年正式量產(chǎn)，DDR4內(nèi)存、3D閃存芯片市場上明年就有國產(chǎn)廠商加入了。
-
美光DRAM/NAND路線圖：下半年推96層3D閃存，GDDR6已完成驗證
受益于eMMC、eMCP市場，美光高價值移動NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，來自數(shù)據(jù)中心市場的內(nèi)存、閃存營收同比增長了87%。
-
長江存儲國產(chǎn)3D閃存拿下第一筆訂單：10776顆芯片
我國雖然在半導體芯片行業(yè)中落后世界先進水平太多，但也在一步一個腳印地前進，不斷取得新突破。據(jù)媒體報道，4月11日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)的國
-
NAND閃存產(chǎn)能提高，或?qū)⒉辉贊q價
今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預期。
-
東芝芯片出售陷入僵局 中國有望實現(xiàn)3D閃存芯片國產(chǎn)化
存儲器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件，一直是芯片行業(yè)的重要組成部分，也是我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的重點方向之一。今年以來在存儲器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中，東芝出售存儲芯片業(yè)務絕對要算在其中，且近日又有關(guān)于此
-
三星全力量產(chǎn)最強64層3D閃存：SSD可以安心降價了
閃存、內(nèi)存的瘋狂漲價，讓三星今年大賺特賺，當然他們在新技術(shù)上的投入也沒有手軟，今天官方公布的消息顯示，三星將在韓國投資186.3億美元，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。之前我們曾報道了三
-
國產(chǎn)32層堆棧3D閃存2019年量產(chǎn)，2020年趕超國際先進技術(shù)
紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。
-
分析：半導體設(shè)備和材料未來替代空間廣闊
今年以來，由于下游需求旺盛，半導體設(shè)備訂單密集增加。當前半導體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化程度不斷提升，龍頭企業(yè)受益半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機遇，值得投資者關(guān)注。
-
3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進入市場
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲器 ──電阻式RAM(RRAM)，在11nm節(jié)點前不可能進入市場;在此之前，堆疊式浮閘NAND閃存相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合芯片
-
東芝佳能研發(fā)3D閃存
據(jù)新華社電為了掌握大容量存儲器新技術(shù)，增強與韓國三星等公司的競爭能力，日本東芝和佳能兩家公司決定聯(lián)合研發(fā)高性能3D閃存，力爭在2016年投入量產(chǎn)。3D閃存是下一代閃存技術(shù)，相對于2D閃存技術(shù)，3D閃存把存儲單元垂
-
海力士、SanDisk、美光相繼推出3D閃存
三星電子率先量產(chǎn)了3D垂直堆疊的NAND閃存，并宣布了基于它的首款固態(tài)硬盤，而在日前的閃存峰會上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D閃存技術(shù)。 還是首先看看三星的吧。 現(xiàn)在已經(jīng)能夠做到24層堆疊
-
海力士、SanDisk、美光：我們也有3D閃存
三星電子率先量產(chǎn)了3D垂直堆疊的NAND閃存，并宣布了基于它的首款固態(tài)硬盤，而在日前的閃存峰會上，SK海力士、SanDisk、美光也不甘示弱地宣告了自己的3D閃存技術(shù)。還是首先看看三星的吧。現(xiàn)在已經(jīng)能夠做到24層堆疊，單
-
3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進入市場
基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲器 ──電阻式RAM(RRAM)，在11nm節(jié)點前不可能進入市場；在此之前，堆疊式浮閘NAND閃存相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合芯片發(fā)展，IMEC研究所存儲器研究專案總監(jiān)Laith
pangkitty
tongpcb
eengrzh
fortaczx
lyp123010
lenjohn0591
nikel
weldon116
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
wyiqing
00750
maoxiaobu
billwu
淡然淺笑不離ROY
楊文卿
baplmqj
