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面板產(chǎn)能競(jìng)賽開(kāi)打韓國(guó)成設(shè)備主要買(mǎi)家

TFT建廠與擴(kuò)廠設(shè)備支出可望從2009年受到不景氣低潮影響的70億美元,成長(zhǎng)到2010年的132億美元,達(dá)到循環(huán)周期的高峰。目前市場(chǎng)上持續(xù)維持在高產(chǎn)能利用率情況下,面板制造商期望在韓國(guó)、臺(tái)灣與大陸的產(chǎn)能擴(kuò)張及建廠的需求可

顯示光電
2010-08-26

面板廠 FAB TFT 液晶電視
訂單爆聯(lián)電資本支出調(diào)至18億美元

晶圓代工大廠聯(lián)電（2303）昨（25）日董事會(huì)中通過(guò)追加今年資本支出案，全年總預(yù)算以現(xiàn)金支出基礎(chǔ)計(jì)算，調(diào)整為18.19億美元，以建置高階產(chǎn)能，滿足客戶在高階技術(shù)與產(chǎn)能之需求，實(shí)際執(zhí)行進(jìn)度將視市場(chǎng)狀況調(diào)整。聯(lián)電

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2010-08-26

先進(jìn)制程聯(lián)電新加坡 FAB
臺(tái)積電發(fā)放2000萬(wàn)新臺(tái)幣獎(jiǎng)金激勵(lì)員工

臺(tái)積電新竹12寸廠(Fab12)7月晶圓出貨量創(chuàng)下逾11萬(wàn)片歷史新高，董事長(zhǎng)張忠謀上周發(fā)給廠內(nèi)員工每名5000元獎(jiǎng)金，估計(jì)至少發(fā)出新臺(tái)幣2000萬(wàn)元，約400名員工受惠。臺(tái)積電近日表示，給予F12寸廠員工的5000元新臺(tái)幣，是屬于

消費(fèi)電子
2010-08-24

先進(jìn)制程臺(tái)積電臺(tái)積電營(yíng)收 FAB
臺(tái)積發(fā)獎(jiǎng)金至少2,000萬(wàn)

臺(tái)積電新竹12廠（Fab12）7月晶圓出貨量創(chuàng)下逾11萬(wàn)片歷史新高，董事長(zhǎng)張忠謀上周發(fā)給廠內(nèi)員工每名5,000元獎(jiǎng)金，估計(jì)至少發(fā)出2,000萬(wàn)元，約4,000名員工受惠。業(yè)界解讀，下半年半導(dǎo)體景氣成長(zhǎng)趨緩，但張忠謀視人力為最大

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2010-08-23

半導(dǎo)體先進(jìn)制程臺(tái)積電營(yíng)收 FAB
歐美日IDM廠委外比重續(xù)攀未來(lái)亞太封測(cè)成長(zhǎng)可望超越半導(dǎo)體

根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Gartner的預(yù)估，歐、美與日本IDM與Fabless廠將封測(cè)產(chǎn)能委外代工的趨勢(shì)將持續(xù)向上成長(zhǎng)，2009年委外代工 (IDM+Fabless廠)的金額約170億美元(約新臺(tái)幣5430億元)，占比約36%，預(yù)估2012年金額將向上提高到260

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2010-08-22

半導(dǎo)體 BLE DM FAB
臺(tái)積電鞏固地盤(pán) 12吋廠突破十座

臺(tái)積電日前調(diào)高資本支出至59億美元（約新臺(tái)幣1,883億元），位于新竹的Fab12 第五期下季量產(chǎn)，南科Fab14第四期年底完工裝機(jī)，加上已經(jīng)動(dòng)工的臺(tái)中Fab15，今年臺(tái)積電12吋晶圓廠已突破十座，成為全球最多12吋晶圓的廠商

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2010-08-20

先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓廠 FAB
聯(lián)電完成晶圓產(chǎn)品水足跡查證

聯(lián)華電子公司今天宣布，領(lǐng)先業(yè)界完成8吋及12吋集成電路晶圓「產(chǎn)品水足跡」查證，并由立恩威（DNV）驗(yàn)證公司發(fā)出第三者 (third-party)獨(dú)立查證聲明書(shū)。聯(lián)電系遵循非營(yíng)利國(guó)際組織Water Footprint Network所發(fā)展的

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2010-08-19

晶圓聯(lián)電 FOOTPRINT FAB
40奈米客戶少晶圓代工2012年供過(guò)于求

全球4大晶圓代工廠2010年積極擴(kuò)充40奈米以下先進(jìn)制程產(chǎn)能，臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與中芯(SMIC)資本支出金額逾100億美元。然而，目前40奈米以下先進(jìn)制程客戶只有超威(AMD)、NVIDIA、賽靈思(Xilinx

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2010-08-18

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電 FAB
晶圓代工廠資本支出

由于2010年景氣復(fù)蘇腳步優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，因此紛紛加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，包括臺(tái)積電、聯(lián)電與世界先進(jìn)皆在下半年宣布調(diào)升資本支出。臺(tái)積電由原訂的48億美元，調(diào)高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億

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2010-08-17

晶圓代工臺(tái)積電晶圓廠 FAB
世界Fab2沖刺邏輯IC代工資本支出增至36億元

晶圓代工業(yè)者世界先進(jìn)(5347)第二季財(cái)報(bào)表現(xiàn)亮眼，稅后純益季增1.57倍，毛利率為22%。世界表示，第二季內(nèi)存產(chǎn)品營(yíng)收比重已降至7%，確定第三季將完全結(jié)束內(nèi)存代工，屆時(shí)晶圓二廠將全數(shù)投入邏輯IC代工，產(chǎn)能可望得到更

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2010-08-16

內(nèi)存 IC PC市場(chǎng) FAB
臺(tái)積電投入3.19億美元發(fā)展新事業(yè)

臺(tái)積電10日舉行董事會(huì)，會(huì)中通過(guò)多項(xiàng)決議，包括以3.19億美元預(yù)算，投入LED及薄膜太陽(yáng)能模塊新事業(yè)發(fā)展；另外也通過(guò)投入19.72億美元擴(kuò)充12吋廠產(chǎn)能。臺(tái)積電日前宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)升到59億

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2010-08-11

薄膜臺(tái)積電晶圓廠 FAB
臺(tái)積電官方回應(yīng)員工墜樓自殺事件

據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w報(bào)道，本月7日周六晚，一名臺(tái)積電的員工墜樓自殺身亡。這名員工今年26歲，死前在臺(tái)積電位于新竹科技園區(qū)的Fab5工廠凈室車間工作。臺(tái)積電的發(fā)言人對(duì)此次事件評(píng)論稱：“臺(tái)積電正盡力幫助我們這位同仁的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-08-11

臺(tái)積電電位 FAB
臺(tái)積兩岸擴(kuò)產(chǎn) 將增資松江廠

圖／經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供臺(tái)積電昨（10）日證實(shí)，上海松江廠0.13微米制程升級(jí)案已向投審會(huì)送件，臺(tái)積電啟動(dòng)兩岸擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，大陸先進(jìn)制程布局鳴槍起跑，藉此穩(wěn)固兩岸晶圓代工龍頭寶座。臺(tái)積電昨天舉行董事會(huì)，通過(guò)對(duì)上海松江

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2010-08-11

先進(jìn)制程臺(tái)積電微米 FAB
聯(lián)電、世界先進(jìn)7月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)新高

晶圓代工廠第3季展望樂(lè)觀，業(yè)績(jī)也持續(xù)走高，聯(lián)電7月?tīng)I(yíng)收較6月走高，月增4.7%，創(chuàng)近69個(gè)月來(lái)新高紀(jì)錄，臺(tái)積電旗下世界先進(jìn)受惠于晶圓出貨成長(zhǎng)，亦帶動(dòng)7月?tīng)I(yíng)收較上月成長(zhǎng)8%，也創(chuàng)下近9年半來(lái)新高水平。聯(lián)電于日前

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2010-08-10

聯(lián)電臺(tái)積電電源管理IC FAB
聯(lián)電世界先進(jìn)7月?tīng)I(yíng)收續(xù)旺

晶圓代工廠聯(lián)電（2303）及世界先進(jìn)（5347）7月?tīng)I(yíng)收，均比6月增溫。其中，聯(lián)電7月?tīng)I(yíng)收達(dá)108.21億元，為歷史單月第5高﹔世界先進(jìn)的15.92億元，則是創(chuàng)下9年半來(lái)新高。由于上游IDM廠及IC設(shè)計(jì)公司持續(xù)下單，第3季晶圓代

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2010-08-10

晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電 FAB
聯(lián)電上修資本支出至18億美元

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電（UMC）日前宣布，由于產(chǎn)能需求仍旺，及滿足客戶未來(lái)對(duì)高階技術(shù)的需求，上修資本支出至18億美元。其中，新加坡Fab12i廠將大幅建置65/55納米產(chǎn)能；南科Fab12A廠第三期無(wú)塵室，也于7月提前竣工，預(yù)

消費(fèi)電子
2010-08-09

聯(lián)電晶圓廠新加坡 FAB
臺(tái)積635億投資明討論

晶圓代工龍頭臺(tái)積電明天舉行董事會(huì)，將討論12吋晶圓廠與太陽(yáng)能廠的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，合計(jì)投資上看20億美元（約新臺(tái)幣635億元）。圖為臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀。（本報(bào)系數(shù)據(jù)庫(kù)）晶圓代工龍頭臺(tái)積電明（10）日舉行董事會(huì)

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2010-08-09

先進(jìn)制程臺(tái)積電晶圓廠 FAB
聯(lián)電Q2獲利創(chuàng)五年新高　樂(lè)觀看待Q3

聯(lián)電(UMC)日公布 2010 年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，表示第二季產(chǎn)能滿載，出貨量成長(zhǎng)至約當(dāng)八吋晶圓 115 萬(wàn) 6 千片。受益于高階產(chǎn)能之加速建置與業(yè)務(wù)組合優(yōu)化之調(diào)整，本季營(yíng)收超出預(yù)期，65 奈米以下產(chǎn)品所貢獻(xiàn)之營(yíng)業(yè)額較上季

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2010-08-06

晶圓聯(lián)電新加坡 FAB
臺(tái)積電年投資59億美元闊綽度僅次于三星

臺(tái)積電宣布，2010年資本支出總額上調(diào)至59億美元，比此前規(guī)劃的48億美元大幅增加了21％，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的闊綽程度僅次于三星電子。臺(tái)積電CEO兼董事長(zhǎng)張仲謀在投資者會(huì)議上稱，臺(tái)積電計(jì)劃將投資總額中的58億美元用于自

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2010-08-02

三星臺(tái)積電晶圓廠 FAB
超越英特爾臺(tái)積電調(diào)升資本支出至59億美元

看好半導(dǎo)體后市，晶圓代工廠臺(tái)積電加碼投資，在29日法說(shuō)會(huì)中，宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調(diào)高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics)的228.8億美元，董事長(zhǎng)

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2010-08-02

英特爾臺(tái)積電晶圓廠 FAB

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面板產(chǎn)能競(jìng)賽開(kāi)打韓國(guó)成設(shè)備主要買(mǎi)家

訂單爆聯(lián)電資本支出調(diào)至18億美元

臺(tái)積電發(fā)放2000萬(wàn)新臺(tái)幣獎(jiǎng)金激勵(lì)員工

臺(tái)積發(fā)獎(jiǎng)金至少2,000萬(wàn)

歐美日IDM廠委外比重續(xù)攀未來(lái)亞太封測(cè)成長(zhǎng)可望超越半導(dǎo)體

臺(tái)積電鞏固地盤(pán) 12吋廠突破十座

聯(lián)電完成晶圓產(chǎn)品水足跡查證

40奈米客戶少晶圓代工2012年供過(guò)于求

晶圓代工廠資本支出

世界Fab2沖刺邏輯IC代工資本支出增至36億元

臺(tái)積電投入3.19億美元發(fā)展新事業(yè)

臺(tái)積電官方回應(yīng)員工墜樓自殺事件

臺(tái)積兩岸擴(kuò)產(chǎn) 將增資松江廠

聯(lián)電、世界先進(jìn)7月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)新高

聯(lián)電世界先進(jìn)7月?tīng)I(yíng)收續(xù)旺

聯(lián)電上修資本支出至18億美元

臺(tái)積635億投資明討論

聯(lián)電Q2獲利創(chuàng)五年新高　樂(lè)觀看待Q3

臺(tái)積電年投資59億美元闊綽度僅次于三星

超越英特爾臺(tái)積電調(diào)升資本支出至59億美元

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