已經(jīng)與臺積電合作完成了全球第一個基于10nm工藝的芯片的流片工作,而且使用了尚未宣布的頂級新架構(gòu)“Artemis”。事實上,這次流片早在2015年12月就完成了,ARM預(yù)
ARM進(jìn)軍服務(wù)器市場的野心已經(jīng)不是一天兩天了,也不斷有廠商在嘗試,但都沒有掀起太大風(fēng)浪,高通的加入會不會徹底改變局勢?
智能手機在2009年之后的七年中性能增強了100倍!手機已經(jīng)可以實現(xiàn)很多從前不能實現(xiàn)的功能,快如閃電的操作響應(yīng)速度和無與倫比的用戶體驗,功耗卻始終維持在同一水平。這是一
ARM今天宣布,已經(jīng)與臺積電合作完成了全球第一個基于10nm工藝的芯片的流片工作,而且使用了尚未宣布的頂級新架構(gòu)“Artemis”。
亮點:· Custom Compiler通過了TSMC的10nm和7nm FinFET工藝技術(shù)認(rèn)證· Custom Compiler支持軌跡模式和全著色流程等新FinFET要求· Custom Compiler支持行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的iPDK,可以基于大量TSMC工藝技術(shù)
臺積電在2016年初法說會中宣布,今年資本支出將達(dá)90億~100億美元,較2015年80億美元成長逾12~25%。然上半年資本支出進(jìn)度可望超前50%,加上10納米制程研發(fā)趕進(jìn)度,后段封測產(chǎn)能及南京12寸晶圓廠也已進(jìn)入動土階段,臺積
三星電子3月5日宣布,已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實現(xiàn)了10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),也是繼2014年首個量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。三星沒有披露新工藝的具體數(shù)字,只是模糊地稱之為10nm級別或者1xnm,
三星電子近日宣布,已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實現(xiàn)了10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),也是繼2014年首個量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。
聯(lián)發(fā)科的Helio X20是公司旗下首款十核心處理器(2.5GHz Cortex-A72×2、2.0GHz Cortex-A53×4、1.4GHz Cortex-A53×4),同時目前Helio X20也已經(jīng)進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn),同時魅族的MX6將成為首款搭載Heli
究竟誰握有最佳的半導(dǎo)體工藝技術(shù)?業(yè)界分析師們的看法莫衷一是。但有鑒于主題本身的復(fù)雜度以及芯片制造商傳遞的信息不明確,就不難了解為什么分析師的看法如此分歧了。
新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)日前宣布:TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler™ II布局及布線解決方案,完成了在其最先進(jìn)的10-納米(nm)級FinFET v1.0技術(shù)節(jié)點上運行Synopsys數(shù)字、驗收及自定
過去幾年里,有越來越多的證據(jù)表明英特爾將延長‘tick-tock’更新的周期。而根據(jù)該公司最新的K-10文件,其著名的節(jié)點發(fā)展周期已經(jīng)正式迎來終結(jié)——在制程收縮的節(jié)奏下,停留2代(甚至更多)處理器
2016年度上海國際半導(dǎo)體展SEMICON China上周風(fēng)光落幕,6大主題展區(qū)包括IC制造、LED及藍(lán)寶石、TSV、半導(dǎo)體材料、MEMS和解決方案專區(qū),總計今年展出攤位再添2成、至近 3000千個;摩根大通亞太股票研究報告指出,半導(dǎo)體業(yè)
楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ: CDNS)今日宣布,用于10納米FinFET工藝的數(shù)字、定制/模擬和簽核工具通過臺積電(TSMC)V1.0設(shè)計參考手冊(DRM)及SPICE認(rèn)證。Cadence 和臺積電為共有客戶認(rèn)證設(shè)計工具,開發(fā)最新流程
臺積電召開財報會議,董事長、被譽為臺灣半導(dǎo)體教父的張忠謀親自出席,執(zhí)行CEO劉德音和魏哲家聯(lián)席。2015年,臺積電合并總營收額為 8434.97億元新臺幣(約為1662.53億元人民幣),同比增長10.6%,稅后凈利3065.74億元新