【2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應(yīng)用（包括電動(dòng)汽車充電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。
【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5.4 mm。該半導(dǎo)體器件得益于其較低的開關(guān)損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲(chǔ)能系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用。
【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】2023年9月15日，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）管理委員會(huì)經(jīng)監(jiān)事會(huì)批準(zhǔn)，決定通過證券交易所回購多達(dá)700萬股股票（ISIN DE0006231004），回購總價(jià)（不含附帶成本）高達(dá)3億歐元。
【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）第24屆年度股東大會(huì)于近日結(jié)束。整個(gè)會(huì)議在線上舉行，并通過公司網(wǎng)站公開播放。會(huì)議期間股東可以在線發(fā)言和提問。
【2024年3月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比， 英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。
【2024年3月11日，德國慕尼黑和加利福尼亞州長灘訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）在美國國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC）上推出全新固態(tài)隔離器產(chǎn)品系列。該系列可實(shí)現(xiàn)更快速、可靠的電路交換，并擁有光學(xué)固態(tài)繼電器（SSR）所不具備的保護(hù)功能。這些隔離器采用無芯變壓器技術(shù)，支持高20倍的能量傳輸?shù)耐瑫r(shí)，還具備了電流和溫度保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和更低的成本。這款，與目前使用的傳統(tǒng)的固態(tài)隔離器驅(qū)動(dòng)SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固態(tài)隔離器可驅(qū)動(dòng)英飛凌的OptiMOS?和CoolMOS?，其功耗降低多達(dá)70%。
【2024年3月11日，德國慕尼黑和美國紐約州西塞內(nèi)卡訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布與Worksport Ltd.（Nasdaq代碼：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。
【2024年3月8日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出全新車規(guī)級(jí)PSoC? 4100S Max系列。這一微控制器器件系列具有更佳的閃存密度、通用輸入輸出接口(GPIO)、CAN-FD和硬件安全性，擴(kuò)展了采用CAPSENSE?技術(shù)的英飛凌汽車車身/暖通空調(diào)(HVAC)和方向盤應(yīng)用人機(jī)界面(HMI)解決方案組合。
【2024年3月7日，德國慕尼黑訊】在競爭激烈的全球半導(dǎo)體市場，制造商一直在努力縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。同時(shí)，他們對流暢、高分辨率圖形顯示器的需求也在日益增長。為了滿足這些市場需求，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布與科尤特(Qt Group)展開戰(zhàn)略合作?？朴忍厥且患胰蜍浖荆瑸檎麄€(gè)軟件開發(fā)生命周期提供跨平臺(tái)解決方案。此次合作將科尤特的輕量級(jí)、高性能圖形框架加入到英飛凌擁有圖形功能的TRAVEO? T2G cluster微控制器系列，標(biāo)志著圖形用戶界面(GUI)開發(fā)模式的轉(zhuǎn)變。
【2024年3月4日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的新型CoolSiC?混合分立器件采用 TRENCHSTOP? 5 快速開關(guān) IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領(lǐng)先的新能源汽車功率電子和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器。英飛凌的元件采用 D2PAK 封裝，將超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT與碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管相結(jié)合，在硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中具有完美的性價(jià)比。憑借卓越的性能、優(yōu)化的功率密度和領(lǐng)先的質(zhì)量，該功率半導(dǎo)體器件與威邁斯的車載充電器實(shí)現(xiàn)了高度適配。
【2024年3月1日，德國慕尼黑和加利福尼亞州長灘訊】人工智能(AI)正推動(dòng)全球數(shù)據(jù)生成量成倍增長，促使支持這一數(shù)據(jù)增長的芯片對能源的需求日益增加。英飛凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數(shù)據(jù)中心提供更佳的功率密度、質(zhì)量和總體成本(TCO)。TDM2254xD系列產(chǎn)品融合了強(qiáng)大的OptiMOSTM MOSFET技術(shù)創(chuàng)新與新型封裝和專有磁性結(jié)構(gòu)，通過穩(wěn)健的機(jī)械設(shè)計(jì)提供業(yè)界領(lǐng)先的電氣和熱性能。它能提高數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行效率，在滿足AI GPU(圖形處理器單元)平臺(tái)高功率需求的同時(shí)，顯著降低總體擁有成本。
【2024年2月28日，德國慕尼黑訊】為實(shí)現(xiàn)有雄心的增長目標(biāo)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正進(jìn)一步強(qiáng)化其銷售組織。自3月1日起，英飛凌的銷售團(tuán)隊(duì)將圍繞三個(gè)以客戶為中心的業(yè)務(wù)領(lǐng)域進(jìn)行組織和重建：“汽車業(yè)務(wù)”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)”以及“消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)”。分銷商和電子制造服務(wù)管理（DEM）銷售組織將繼續(xù)負(fù)責(zé)分銷商和電子制造服務(wù)（EMS）領(lǐng)域。新的組織結(jié)構(gòu)將以客戶的應(yīng)用需求為中心，進(jìn)一步發(fā)揮英飛凌全面、多樣化產(chǎn)品組合的潛力。這些新的組織結(jié)構(gòu)將在全球范圍內(nèi)部署，同時(shí)優(yōu)化區(qū)域布局。
【2024年2月28日，德國慕尼黑和日本東京訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體制造商兼領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX /OTCQX代碼：IFNNY）宣布與社會(huì)系統(tǒng)技術(shù)的先鋒企業(yè)——?dú)W姆龍社會(huì)解決方案公司（OMRON Social Solution）建立合作關(guān)系。通過將英飛凌基于氮化鎵（GaN）的領(lǐng)先功率解決方案與歐姆龍的創(chuàng)新電路拓?fù)浜涂刂萍夹g(shù)相結(jié)合，歐姆龍社會(huì)解決方案開發(fā)出了日本最小、最輕的車聯(lián)網(wǎng)（V2X）充電系統(tǒng)。此次合作將進(jìn)一步推動(dòng)電源寬帶隙材料的創(chuàng)新，在幫助加快向可再生能源、智能電網(wǎng)和電動(dòng)汽車過渡的同時(shí)，推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。
【2024年2月26日，慕尼黑和臺(tái)北訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）和日月光投資控股股份有限公司（TAIEX代碼：3711/ NYSE代碼：ASX）近日宣布簽署最終協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，英飛凌將其位于菲律賓甲米地和韓國天安的后道生產(chǎn)基地出售給領(lǐng)先的獨(dú)立半導(dǎo)體組裝和測試制造服務(wù)提供商——日月光的兩家全資子公司。
【2024年2月26日，德國慕尼黑訊】在連接性不斷增強(qiáng)、物聯(lián)網(wǎng)日益普及的今天，簡化聯(lián)網(wǎng)設(shè)備之間的互通性并提高其安全性和可靠性至關(guān)重要。Matter標(biāo)準(zhǔn)1正是為此而制定的。為了便于將Matter標(biāo)準(zhǔn)和安全功能集成到智能家居與智能建筑設(shè)備中，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出OPTIGA? Trust M MTR。這款Matter認(rèn)證的半導(dǎo)體安全元件連同Matter配置服務(wù)已成為英飛凌OPTIGA Trust M的最新標(biāo)配。
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