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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比

近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。

廠商動態(tài)
2022-02-23

派恩杰半導(dǎo)體 MOSFET 新能源汽車
2022年開工第一天，派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

隨著第三代半導(dǎo)體的普及，及對功率密度的高需求，第三代半導(dǎo)體在一些高功率應(yīng)用領(lǐng)域逐漸取代硅功率器件。而在USB PD 快充產(chǎn)品上為了降低了開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率此前普遍使用氮化鎵功率器件。事實上，不僅氮化鎵可以用在USB PD快充上，新能源汽車熱門功率器件碳化硅MOSFET也很有應(yīng)用優(yōu)勢。

廠商動態(tài)
2022-02-08

派恩杰半導(dǎo)體碳化硅第三代半導(dǎo)體
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計，只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管的驅(qū)動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實現(xiàn)碳中和目標的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)用于綠色低碳領(lǐng)域的共用性技術(shù)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅(qū)動與Si MOSFET到底有什么區(qū)別，替代時電路設(shè)計如何調(diào)整，是工程師非常關(guān)心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？》一文中已經(jīng)分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅(qū)動常規(guī)自舉電路的注意事項。

廠商動態(tài)
2022-01-15

派恩杰半導(dǎo)體電路 SiC MOSFET
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。

廠商動態(tài)
2021-12-07

派恩杰半導(dǎo)體封裝 SIC IC模塊 MOSFET
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？

現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點就是價格。但隨著良率的提升和采用更大尺寸的晶圓，SiC與Si之間的成本差距正在收窄，在整車系統(tǒng)總體成本反而有明顯的優(yōu)勢。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為越來越多的廠家的新選擇。

廠商動態(tài)
2021-12-06

派恩杰半導(dǎo)體電源 SiC MOSFET
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低

自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商，國內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何？派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進行了對比測試。本文分享測試結(jié)果。

廠商動態(tài)
2021-10-19

派恩杰半導(dǎo)體 SiC MOSFET
2021中國智造「金長城」獎揭曉，派恩杰半導(dǎo)體獲評“年度最具成長性企業(yè)”

2021年10月12日，《21世紀經(jīng)濟報道》主辦的“2021中國智造業(yè)年會”會上，揭曉了“2021中國智造「金長城」獎”的評選結(jié)果。派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司（以下簡稱派恩杰半導(dǎo)體）憑借全球領(lǐng)先的SiC功率器件技術(shù)喜獲“「金長城」獎-年度最具成長性企業(yè)”殊榮。

廠商動態(tài)
2021-10-14

派恩杰半導(dǎo)體智能電網(wǎng) 工業(yè)電機 5G物聯(lián)網(wǎng)
首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“，可提升電源效率4%！

P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機驅(qū)動，光伏，直流充電樁，儲能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計，可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動電路設(shè)計，降低散熱成本，大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。

廠商動態(tài)
2021-10-11

派恩杰半導(dǎo)體 SiC MOSFET
布局全球，碳化硅功率器件設(shè)計及方案商派恩杰半導(dǎo)體再獲數(shù)千萬Pre-A輪融資

碳化硅功率器件設(shè)計及方案商派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司(以下簡稱派恩杰)官方消息稱，繼創(chuàng)東方投資、天際資本后再獲湖杉資本數(shù)千萬Pre-A輪融資，本次融資資金將用于更高電壓平臺功率器件產(chǎn)品的研發(fā)和全球市場的布局。

廠商動態(tài)
2021-09-13

派恩杰半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng) 新能源智能電網(wǎng) 碳化硅功率器件
模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB與國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。

廠商動態(tài)
2021-09-06

派恩杰半導(dǎo)體 SiC IGBT 模擬晶圓

派恩杰半導(dǎo)體