?2020年2月3日，美國新澤西州普林斯頓---美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時(shí)具有業(yè)界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標(biāo)準(zhǔn)硅器件，使工程師可以采用比分立設(shè)計(jì)方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構(gòu)建開關(guān)電路。
?2019年12月9日，美國新澤西州普林斯頓--新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(EV)逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
2019年7月24日，美國新澤西州普林斯頓---新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。
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