零漂移運(yùn)算放大器是一種特殊形式的運(yùn)算放大器,適用于精密應(yīng)用,在這些應(yīng)用中,輸入差分信號(hào)非常小,輸入引腳上的任何偏移都可能在輸出端引起嚴(yán)重誤差。
USB-C正成為電子和充電方面家喻戶曉的術(shù)語(yǔ)。多年來(lái),大多數(shù)家居周圍都有各種各樣的充電電纜,似乎總是有人放錯(cuò)了“他們需要的那根”。根據(jù)IHS Markit的數(shù)據(jù),從2016年到2021年,USB-C?連接器的普及率預(yù)計(jì)將達(dá)到74.1%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)。
音頻/語(yǔ)音用戶接口(VUI)是未來(lái)人機(jī)交互的一個(gè)重要的新興趨勢(shì),將越來(lái)越多地用于智能家居控制、樓宇自動(dòng)化、智能零售、聯(lián)接的汽車、醫(yī)療等物聯(lián)網(wǎng)垂直領(lǐng)域,這涉及語(yǔ)音觸發(fā)、識(shí)別、處理技術(shù),同時(shí)設(shè)計(jì)人員還面臨如何提高能效的挑戰(zhàn)。針對(duì)本地和云端,安森美半導(dǎo)體都有相應(yīng)的VUI方案,提供先進(jìn)的語(yǔ)音觸發(fā)、識(shí)別、處理、控制等功能,具備出色的計(jì)算能力和能效,確保卓越的用戶體驗(yàn)。
如今,借助最新的無(wú)線通信技術(shù),用戶可以真正隨處收聽(tīng)和欣賞音樂(lè)。這所謂的“串流音樂(lè)供應(yīng)”使我們能夠使用智能手機(jī)和應(yīng)用程序以適合我們耳朵的便攜式聲學(xué)方案聽(tīng)音樂(lè)。
身處社會(huì),我們每天都在創(chuàng)建、使用和分享前所未有的數(shù)據(jù),無(wú)論是在我們的個(gè)人生活中還是在我們工作的時(shí)候。此外,聯(lián)接數(shù)十億設(shè)備并不斷增長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)正在創(chuàng)建數(shù)據(jù),完全無(wú)需人類幫助。隨著移動(dòng)技術(shù)發(fā)展到第五代(5G),將有能力創(chuàng)建更多的數(shù)據(jù)并以比以往任何時(shí)候都更快的速度運(yùn)行,從而為數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的趨勢(shì)提供更大的動(dòng)力。
消費(fèi)和企業(yè)需求推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)通信的激增。預(yù)計(jì)到2021年,月數(shù)據(jù)流量將超過(guò)50EB,加之新技術(shù)如自動(dòng)駕駛車輛的需求,及虛擬實(shí)境要求下一代蜂窩網(wǎng)絡(luò)不僅增速20倍,還減少等待時(shí)間。把所有的一切聯(lián)接到因特網(wǎng)將需要5G基站以匹配射頻和物理層協(xié)議,使用更寬的頻率范圍、多個(gè)功率等級(jí)、空間復(fù)用和波束形成。
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的快速發(fā)展,聯(lián)接的IoT設(shè)備數(shù)、傳感器數(shù)和執(zhí)行器數(shù)將不斷增長(zhǎng)。在IoT網(wǎng)絡(luò)邊緣,有大量的終端節(jié)點(diǎn),雖然這些單個(gè)節(jié)點(diǎn)可能都僅需極低的功率需求,且無(wú)需持續(xù)運(yùn)行(僅在需要時(shí)才啟動(dòng)),但激增的節(jié)點(diǎn)數(shù)會(huì)產(chǎn)生極高的總功耗。因此,全球面臨減少能源消耗的挑戰(zhàn),需要尋求替代能源以實(shí)現(xiàn)免電池的新方案為這些邊緣節(jié)點(diǎn)供電和提升能效。同時(shí),市場(chǎng)需要一系列的無(wú)線協(xié)議以實(shí)現(xiàn)無(wú)線互聯(lián),從而靈活部署、方便維護(hù)和降低成本。
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)沒(méi)有表現(xiàn)出短期流行的跡象。每一新應(yīng)用都添加許多端點(diǎn)到互聯(lián)網(wǎng)。不同的無(wú)線技術(shù)激增,在大部分射頻(RF)頻譜運(yùn)行,就是最好的證明。
安森美半導(dǎo)體推出僅由太陽(yáng)能電池供電的RSL10多傳感器平臺(tái),繼續(xù)實(shí)現(xiàn)免電池和免維護(hù)的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)。
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來(lái)提供方案。
安森美半導(dǎo)體的PIM,最高額定功率為100kVA,集成尖端技術(shù)如碳化硅(SiC)、超場(chǎng)截止IGBT及旁路二極管和NTC熱敏電阻,采用雙升壓和NPCT-Type及I-Type逆變器拓?fù)?,提供領(lǐng)先業(yè)界的性能
在工業(yè)化國(guó)家,電機(jī)消耗的電力超過(guò)50%。這些電動(dòng)機(jī)中至少有80%是交流感應(yīng)電機(jī)(ACIM),平均能效僅44%。不斷上漲的電力成本正在緩慢推動(dòng)法規(guī)和準(zhǔn)則要求提高住宅和工業(yè)應(yīng)用中使用的電機(jī)能效。
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出了一對(duì)完全符合USB-CPD 3.0標(biāo)準(zhǔn)的新器件。FAN6390 自適應(yīng)充電控制器使USB-C PD 3.0可編程電源(PPS)標(biāo)準(zhǔn)易于集成到系統(tǒng)中,而NCP12601 是高度集成的多模式反激控制器,用于強(qiáng)固的高性能離線電源如適配器。
網(wǎng)絡(luò)通信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)電源正推動(dòng)功率密度增加,而這正是云和5G計(jì)算所需。碳化硅(SiC)二極管用于功率因數(shù)校正(PFC)級(jí),而氮化鎵(GaN)/ SiC FET 也正在成為圖騰柱和LLC級(jí)的選項(xiàng)。
新的SiC MOSFET器件實(shí)現(xiàn)更好的性能、更高的能效和能在嚴(yán)苛條件下工作
安森美(onsemi,納斯達(dá)克股票代碼:ON)正推動(dòng)顛覆性創(chuàng)新,幫助建設(shè)更美好的未來(lái)。公司專 注于汽車和工業(yè)終端市場(chǎng),正加速推動(dòng)大趨勢(shì)的變革,包括汽車功能電子化和安全、可持續(xù)能源 網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等。安森美以高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合,創(chuàng)造智能電源 和感知技術(shù),解決世界上最復(fù)雜的挑戰(zhàn),并引領(lǐng)創(chuàng)建一個(gè)更安全、更清潔、更智能的世界。了解 更多請(qǐng)?jiān)L問(wèn):http://www.onsemi.cn。
王洪陽(yáng)
默渝
小黑智
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